主要规格及技术指标

1、样品尺寸： 最大8英寸直径晶圆、向下兼容更小的晶圆片或不规则碎片；可在反应腔室不开腔、不破真空的前提下、实现不同尺寸样片的切换。2、至少六路工艺气体：Ar，O2，CF4，5%SiH4，NH3，备用一路，可扩展至最多12路气路。3、SiO2沉积指标：
沉积温度≤130°C，沉积速率≥15nm/min，膜厚均匀性（片内） ≤±5% (4”)，膜厚重复性（批间） ≤±3%，折射率1.45~1.47（可调），膜应力≤100MPa（绝对值），BHF腐蚀速率≤300nm/min (10:1 BHF @ 20°C)。4、SiNx沉积指标：
沉积温度≤130°C，沉积速率≥15nm/min，膜厚均匀性（片内） ≤±5% (4”)，膜厚重复性（批间） ≤±3%，折射率1.95~2.05（可调），膜应力≤100MPa（绝对值），BHF腐蚀速率≤50nm/min (10:1 BHF @ 20°C)。5、随设备提供其他工艺菜单，包括SiOxNy，a-Si，uc-Si等的沉积工艺。

主要附件及配置

无

主要功能及特色

通过感应耦合等离子体（ICP）方式产生高密度等离子体，在各种衬底上沉积高质量的介质薄膜（例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx、氮氧硅SiOxNy）、非晶硅薄膜、微晶硅薄膜等