主要规格及技术指标

镀膜条件为： 4 英寸尺寸 Si 衬底表面镀膜， 测量衬底表面 5 个
点的厚度， 均匀性计算公式为： Uniformity = (Tmax-Tmin)/(Tmax+Tmin) <
5%；工艺腔体  极限真空度优于 5 × 10-9 Torr；
样品传输腔体  极限真空度优于 5 × 10-7 Torr；

主要附件及配置

无

主要功能及特色

系统用于生长高品质硫系薄膜，为实现微腐蚀性的 VI族元素材料硒、硫、硅的蒸镀，真空腔体，内部运动机构、加热器，蒸发源等均采用抗腐材质，高抽速分子泵抽气管道采用独立冷阱设计，可以有效防止腐蚀性蒸发气体进入分子泵，以提高分子泵寿命，硫系薄膜的制备采用热舟蒸发与K-cell 共蒸方式进行，可实现稀有元素的的掺杂。防镀膜设计石英晶振探头，可实现多个蒸发源共蒸发；样品台采用4 英寸设计，可兼容多个较小样品同时镀膜，镀膜均匀性可达到+/-3%