1.激光器:波长405nm,能量≥300mW2.有效光刻面积:≥200*200mm23.描绘网格或数据分辨率:≤10nm4.套刻对准精度:≤110nm5.线宽:≤0.6um6.线宽均匀性:≤70nm7.线宽斜边粗糙度:≤60nm8.光绘速度:≥13mm2/min
无
用于光学芯片加工