主要规格及技术指标

1. Cs+离子束斑直径≤0.5 μm；Cs+离子束流密度 >35 mA/cm²；
2. O-离子束斑直径≤ 0.7 μm，束流密度> 100 mA/cm²；O2-离
子束流密度> 20 mA/cm²；
3. 质量分辨率：最高40000 (高斯峰，10%峰高)；
4. 高分辨本领下的传输率：在某种条件下，单接收模式分
析硅样品28Si，质量分辨率>32000(10%峰高)时传输率
> 3%；
5. 质量范围：1~300 amu(10 kV下)；1~600 amu(5 kV下)。

主要附件及配置

无

主要功能及特色

利用具有1~20 KeV能量且经过聚焦的一次离子束
稳定轰击固体样品表面，收集从被轰击表面微区（1~
100μm）溅射出的二次离子，并使用质谱仪进行分析，
测量二次离子的质荷比和强度，从而确定样品所含元素
的种类和含量，以及同位素比值等信息。